7 Августа компания Samsung представила новую линейку SSD накопителей для потребительского рынка на базе QLC V-NAND четвертого поколения, емкостью до 4Тб в наиболее распространенном 2.5» форм-факторе. Накопитель достигает 540Мб/c при последовательном чтении и 520Мб/с при последовательной записи и поставляется с 3-летней гарантией.
Микросхемы QLC NAND(Quad Level Cell NAND) за счет градации уровней заряда позволяют хранить 4 бита в одной ячейке памяти, в отличие от 3-бит в микросхемах TCL NAND(Triple Level Cell NAND) Это позволяет увеличить емкость микросхем сохранив их размеры и производительность.
Накопитель построен на чипах 1ТБит (128Гб). В ближайшем будущем на их базе планируется производство карт памяти для смартфонов в доступном ценовом сегменте.
Кроме того, компания в ближайшее время планирует наладить производство M.2 NVME SSD Enterprise, а так же накопителей на базе QLC V-NAND пятого поколения различной емкости, для удовлетворения растущего спроса на рынке SSD.
Источник: https://samsung.com